
“Vonfram lùi, molypden tiến”: SK Hynix hoàn tất xác minh NAND 375 lớp, ba cổ phiếu Mỹ hưởng lợi nổi bật xuất hiện
Tuyển chọn TechFlowTuyển chọn TechFlow

“Vonfram lùi, molypden tiến”: SK Hynix hoàn tất xác minh NAND 375 lớp, ba cổ phiếu Mỹ hưởng lợi nổi bật xuất hiện
Người chiến thắng thực sự trong cuộc thay thế vật liệu này không phải là các nhà máy lưu trữ, mà lại nằm ở các nhà cung cấp thiết bị và vật tư tiêu hao phía thượng nguồn.
Tác giả: Ada, TechFlow
Theo thông tin từ tổ chức nghiên cứu ngành TrendForce, SK Hynix đã hoàn tất kiểm chứng thiết kế NAND 375 lớp; kế hoạch sản xuất hàng loạt dự kiến bắt đầu vào cuối năm 2026, và công ty sẽ chuyển đổi năng lực sản xuất hiện có để triển khai. Việc hoàn tất kiểm chứng NAND 375 lớp của SK Hynix đã đưa một bước ngoặt ngành công nghiệp – vốn đã được chuẩn bị trong nhiều năm – lên hàng đầu: vonfram, vật liệu đã được sử dụng trong chip gần một phần tư thế kỷ, đang dần nhường chỗ cho molypden. Người hưởng lợi thực sự từ cuộc thay thế vật liệu này không nằm ở các nhà máy sản xuất bộ nhớ, mà lại thuộc về các nhà cung cấp thiết bị và vật tư tiêu hao ở khâu thượng nguồn.
Vonfram đã “gánh” gần 25 năm, nhưng quy mô thu nhỏ đang đẩy nó tới giới hạn vật lý
Đáng chú ý, Samsung – chứ không phải SK Hynix – là công ty đầu tiên áp dụng molypden trong dây dẫn kim loại. Samsung đã sử dụng molypden trên sản phẩm NAND thế hệ thứ chín với 286 lớp, bắt đầu sản xuất hàng loạt từ tháng 4/2024 và hiện đang mở rộng việc sử dụng molypden sang nhiều bước công nghệ hơn. Trong khi đó, đây mới là lần đầu tiên SK Hynix áp dụng molypden trên dòng sản phẩm của chính mình – một hành động theo đuổi chứ không phải tiên phong trong bối cảnh ngành công nghiệp.
Sản phẩm 375 lớp này bản thân cũng từng trải qua quá trình điều chỉnh giảm. Theo TheElec, ban đầu SK Hynix đặt mục tiêu phát triển NAND 400 lớp, nhưng do độ phức tạp ngày càng tăng trong việc xếp chồng các lớp cao, cuối cùng đã hạ xuống mức 375 lớp. Dẫu vậy, đây vẫn là bước nhảy quan trọng trong lộ trình NAND của SK Hynix, còn các sản phẩm tương lai với 480 lớp và 604 lớp được kỳ vọng sẽ phụ thuộc sâu hơn nữa vào molypden.
Việc thay thế vonfram bằng molypden tuy không riêng biệt trong lĩnh vực bộ nhớ, song lại tạo ra một bước ngoặt mang tính toàn ngành. Theo báo cáo, vonfram – với vai trò kim loại liên kết – đã được sử dụng trong NAND, DRAM cũng như quy trình trung đoạn (middle-of-line) của chip logic và foundry suốt gần 25 năm qua; tuy nhiên, yêu cầu thu nhỏ kích thước transistor hiện nay đang vượt quá giới hạn vật lý của vonfram, khiến molypden trở thành ứng cử viên thay thế được đánh giá cao nhất.
Ưu điểm của molypden không chỉ nằm ở điện trở thấp. Khác với vonfram và đồng, molypden không cần lớp chắn khuếch tán (barrier layer), giúp loại bỏ một công đoạn chế tạo và nâng cao tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn; đồng thời, đặc tính nhiệt độ nóng chảy cao và khả năng chống oxy hóa mạnh cho phép lắng đọng trực tiếp – rất phù hợp với các cấu trúc có tỷ lệ chiều cao/trên bề mặt (aspect ratio) lớn như NAND 3D hay cấu trúc cổng bao quanh toàn bộ (GAA – Gate-All-Around) ở phía logic. Nói cách khác, càng tăng số lớp hoặc thu nhỏ node, vonfram càng gặp khó khăn, trong khi không gian ứng dụng của molypden càng mở rộng. Đây chính là nền tảng lý luận vững chắc cho “lý thuyết người bán xẻng”: một khi việc thay thế được triển khai rộng rãi, những bên cung cấp công cụ và vật liệu sẽ là người hưởng lợi.
Lam Research: Nhà cung cấp duy nhất đã đưa thiết bị ALD molypden vào sản xuất hàng loạt
Trong chuỗi giá trị này, Lam Research (LRCX) là công ty có vị trí trực tiếp và câu chuyện rõ ràng nhất. Hệ thống ALTUS Halo do Lam tung ra tháng 2/2025 được công ty gọi là thiết bị lắng đọng từng lớp nguyên tử (ALD – Atomic Layer Deposition) đầu tiên trên thế giới sử dụng molypden trong sản xuất hàng loạt, thường cải thiện điện trở hơn 50% so với kim loại hóa truyền thống bằng vonfram. Theo tiết lộ từ Lam, việc áp dụng sớm đã được triển khai tại các nhà máy NAND 3D có năng suất cao ở Hàn Quốc và Singapore, cũng như tại các nhà máy logic tiên tiến – nơi Hàn Quốc đại diện cho Samsung và SK Hynix, còn Singapore đại diện cho Micron.
Tính linh hoạt trong kinh doanh nằm ở độ phức tạp gia tăng của quy trình. Theo nghiên cứu của Zacks, hiện Lam là nhà cung cấp duy nhất đã đưa thiết bị ALD molypden vào sản xuất hàng loạt, phục vụ cả khách hàng foundry lẫn NAND. Mặc dù lắng đọng molypden chậm hơn và phức tạp hơn, nhưng điều này giúp thị phần tiềm năng (SAM – Serviceable Available Market) cho dịch vụ lắng đọng kim loại trên mỗi wafer của Lam tại các node tiên tiến tăng gấp ba lần. Quy trình càng phức tạp, ngược lại lại mở ra cơ hội tăng trưởng cho nhà cung cấp thiết bị.
Entegris bán vật tư tiêu hao; Micron là cổ phiếu lưu trữ “thuần túy” duy nhất trên sàn美股
Applied Materials (AMAT) lại lựa chọn hướng đi khác. Tháng 2 năm nay, AMAT ra mắt hệ thống Spectral ALD nhằm thay thế vonfram bằng molypden trong các tiếp xúc transistor hiện hành, giúp giảm điện trở tại điểm nối then chốt giữa transistor và mạng dây dẫn đồng. Hiện hệ thống này đã được nhiều nhà máy foundry logic hàng đầu áp dụng. Cần phân biệt rõ: câu chuyện molypden của Lam tập trung chủ yếu vào các đường chữ (wordline) trong NAND/DRAM, còn câu chuyện molypden của AMAT thiên về tiếp xúc logic GAA 2nm – hai hướng ứng dụng khác nhau, do đó không thể gộp chung dưới cùng một logic hưởng lợi.
Về phía vật liệu, Entegris (ENTG) là đại diện tiêu biểu. Công ty cung cấp tiền chất rắn molypden dạng điclorua đioxit molypden (MoO₂Cl₂), được thiết kế riêng cho DRAM và NAND 3D, kèm theo hệ thống vận chuyển ProE-Vap. Lý luận của họ dựa trên hiệu ứng lan tỏa khi thay đổi vật liệu. Theo Entegris, việc chuyển từ đồng và vonfram sang molypden sẽ ảnh hưởng đến nhiều khâu: lựa chọn tiền chất, thiết kế đệm mài (polishing pad), công thức dung dịch mài (slurry), vật liệu ăn mòn (etchant) và lọc – tức là quy trình trở nên phân tán hơn nhưng xuyên suốt nhiều bước.
Còn đối với các nhà sản xuất bộ nhớ, cả Samsung và SK Hynix đều không niêm yết trên sàn chứng khoán Mỹ (NYSE/NASDAQ), trong khi Micron (MU) là cổ phiếu lưu trữ “thuần túy” duy nhất trên sàn Mỹ và cũng đã chiếm ưu thế trong việc áp dụng molypden. Lam dẫn lời Mark Kiehlbauch – Phó Chủ tịch Phát triển NAND của Micron – khẳng định rằng kim loại hóa bằng molypden đã giúp Micron tiên phong đạt được băng thông I/O và dung lượng lưu trữ dẫn đầu ngành trong thế hệ NAND mới nhất. Tuy nhiên, Micron là “người dùng molypden”, chứ không phải “bên hưởng lợi từ việc bán molypden”; động lực chính thúc đẩy giá cổ phiếu của Micron vẫn là chu kỳ bộ nhớ và HBM, còn molypden chỉ là yếu tố nâng cao hiệu năng.
Nhà khai thác mỏ molypden hưởng lợi? Nhu cầu từ bán dẫn chỉ là “giọt nước trong biển cả”
Về mặt lý thuyết, các nhà khai thác mỏ molypden cũng có thể được coi là bên hưởng lợi gián tiếp trong câu chuyện này; trên sàn Mỹ, Freeport-McMoRan (FCX) – công ty khai thác molypden như một sản phẩm phụ từ quặng đồng – là ví dụ điển hình. Nhưng lượng molypden tiêu thụ bởi ngành bán dẫn thực sự quá nhỏ. Theo TheElec và các ước tính ngành, Samsung năm ngoái mua khoảng 4 tấn molypden, năm nay tăng lên khoảng 10 tấn; SK Hynix mới bắt đầu với mức khoảng 4 tấn; toàn ngành dự kiến đến năm 2030 cũng chỉ đạt mức khoảng 80 tấn. So với thị trường molypden toàn cầu – chủ yếu phục vụ hợp kim thép với nhu cầu hàng chục triệu tấn mỗi năm – nhu cầu từ bán dẫn chỉ là “giọt nước trong biển cả”. Việc gắn giá cổ phiếu các công ty khai mỏ với câu chuyện NAND là lập luận thiếu cơ sở.
Điều này cũng xác định rõ đích đến thực sự của câu chuyện “vonfram lùi, molypden tiến”: 375 lớp của SK Hynix chỉ là điểm khởi đầu, còn phạm vi tác động thực sự bao quát cả ba phân khúc NAND, DRAM và vật liệu. Trong cuộc thay thế kim loại này, các khâu cung cấp công cụ và vật tư tiêu hao có độ chắc chắn cao hơn; các nhà sản xuất bộ nhớ sử dụng molypden chỉ hưởng lợi về hiệu năng chứ không phải về định giá cổ phiếu; còn phía kim loại thì gần như không được hưởng lợi gì.
Khẳng định: Bài viết này không cấu thành bất kỳ khuyến nghị đầu tư nào.
Chào mừng tham gia cộng đồng chính thức TechFlow
Nhóm Telegram:https://t.me/TechFlowDaily
Tài khoản Twitter chính thức:https://x.com/TechFlowPost
Tài khoản Twitter tiếng Anh:https://x.com/BlockFlow_News














