Tăng vọt hơn 50 lần trong 18 tháng, cuộc lật đổ mang tính sử thi của Kioxia
Tuyển chọn TechFlowTuyển chọn TechFlow
Tăng vọt hơn 50 lần trong 18 tháng, cuộc lật đổ mang tính sử thi của Kioxia
Không chỉ thành công trong việc lật ngược tình thế mà còn đạt được đột phá kép trên thị trường vốn và công nghệ.
Chuyên sâu báo cáo Web3Tác giả: Đỗ Cần (DQ)
Trước đây, trong một bài viết, chúng tôi từng phân tích sâu giai đoạn sa sút đáng tiếc của “gã khổng lồ bộ nhớ flash” này: thừa hưởng vinh quang quá khứ từ Toshiba Memory nhưng lại “sinh không đúng thời”; thị trường vốn lạnh lùng đối xử, khiến đợt IPO bị gián đoạn ngay trước giờ G; liên tiếp thua lỗ nặng nề giữa mùa đông ngành công nghiệp, đồng thời “bỏ lỡ cơ hội vàng” của HBM, thậm chí cả nỗ lực liên minh với Western Digital cũng thất bại… Lúc bấy giờ, Kioxia trong mắt công chúng dường như đã trở thành “quả bom nóng” giữa cuộc đại tái cấu trúc ngành bán dẫn.
Thế nhưng chỉ sau hơn một năm, Kioxia đã thực hiện một màn “lật đổ thần thoại” ngoạn mục. Dưới sức đẩy điên cuồng của các mô hình AI lớn, logic thị trường bộ nhớ đã chuyển dịch căn bản — Kioxia không chỉ thành công trong việc lật ngược thế cờ mà còn đạt được bứt phá kép trên cả thị trường vốn lẫn công nghệ.
Diễn biến giá cổ phiếu Kioxia kể từ khi niêm yết
Thần thoại siêu cấp trên thị trường vốn
Kioxia chính thức niêm yết tại Sở Giao dịch Chứng khoán Tokyo vào cuối năm 2024, với giá trị vốn hóa ban đầu chỉ dao động quanh mức 800 tỷ yên Nhật (khoảng 5 tỷ USD). Tuy nhiên, cùng với nhu cầu bộ nhớ cho AI bùng nổ toàn diện, Kioxia đã tạo nên màn “lật đổ thần thoại” trong vòng 18 tháng sau niêm yết: giá cổ phiếu tăng vọt hơn 50 lần trong 18 tháng, riêng trong năm 2026 đã tăng gấp 8 lần.
Hiện tại, giá trị vốn hóa của Kioxia đã vượt mốc 51 nghìn tỷ yên Nhật (tương đương khoảng 481 nghìn tỷ won Hàn Quốc), nhiều lần vượt qua Toyota Motor — biểu tượng của ngành sản xuất Nhật Bản — để trở thành doanh nghiệp có vốn hóa lớn nhất trên thị trường chứng khoán Nhật Bản.
Theo dự báo kết quả kinh doanh quý I năm tài khóa 2026 (tháng 4–6) do Kioxia công bố, lợi nhuận hoạt động quý này dự kiến đạt mức cao kỷ lục 1,3 nghìn tỷ yên Nhật (khoảng 8,1 tỷ USD), tăng mạnh gần 30 lần so với cùng kỳ năm trước; lợi nhuận ròng quý này dự báo đạt 869 tỷ yên Nhật, tăng 48 lần so với cùng kỳ, chỉ riêng một quý đã vượt xa dự báo lợi nhuận ròng cả năm tài khóa 2025.
Do các khách hàng lớn đua nhau ký hợp đồng cung ứng dài hạn, toàn bộ năng lực sản xuất NAND của Kioxia trong năm 2026 đã được đặt hàng hết; tình trạng khan hiếm nguồn cung dự kiến kéo dài đến năm 2027. Dự báo thị trường cho rằng biên lợi nhuận hoạt động của Kioxia năm nay sẽ vượt 60%, thiết lập mức lợi nhuận cao nhất toàn cầu trong ngành bộ nhớ. Ngoài ra, với kỳ vọng nhà đầu tư sẽ được hưởng các khoản hoàn lại như chia tách cổ phiếu và cổ tức, giá mục tiêu của cổ phiếu Kioxia được kỳ vọng sẽ vươn tới 200.000 yên Nhật.
Đợt tăng giá mạnh mẽ này đã mang lại khoản lợi nhuận đầu tư ngoài sức tưởng tượng cho công ty mẹ Bain Capital — người kiên định nắm giữ cổ phần trong giai đoạn suy thoái — cũng như cổ đông gián tiếp lớn SK Hynix.
Theo báo Financial Times, làn sóng AI đã biến thương vụ Bain Capital mua lại Toshiba Memory (nay là Kioxia) năm 2018 thành một trong những giao dịch tư nhân sinh lời nhất mọi thời đại. Thông qua việc bán phần lớn cổ phần, Bain Capital đã thu được lợi nhuận, với tổng doanh thu vượt 15 tỷ USD và tỷ suất sinh lời gần 20 lần; quỹ đầu tư tư nhân chủ lực thuộc sở hữu của Bain Capital ước tính đã thu về hơn 8 tỷ USD lợi nhuận.
SK Hynix đã đầu tư tổng cộng 395 tỷ yên Nhật (tương đương khoảng 3,9 nghìn tỷ won Hàn Quốc tại thời điểm đó) vào Toshiba Memory thông qua liên minh tài chính Hàn-Mỹ-Nhật năm 2018. Hiện liên minh này vẫn nắm giữ 18% cổ phần Kioxia. Cùng với đà tăng mạnh của giá cổ phiếu Kioxia, SK Hynix đang hưởng lợi nhuận kế toán khổng lồ; thị trường dự báo tổng lợi nhuận cuối cùng mà liên minh này thu về sẽ vượt xa con số 70 tỷ USD.
Quả “bom nóng” ngày xưa giờ phút chốc đã biến thành “máy rút tiền siêu cấp”.
Trước đây, lợi ích từ trí tuệ nhân tạo chủ yếu tập trung vào các công ty GPU và HBM như NVIDIA và SK Hynix. Trong khi HBM là ngôi sao trong khâu huấn luyện AI thì NAND lại trở thành nguồn tài nguyên khan hiếm trong các lĩnh vực suy luận AI, lưu trữ mô hình, hồ dữ liệu (data lake), SSD doanh nghiệp và lưu trữ cận tuyến (nearline storage). Dự báo thị trường cho rằng lợi nhuận ròng của Kioxia trong năm tài khóa 2027 sẽ đạt 2.838,9 tỷ yên Nhật, tăng 5,1 lần so với năm trước.
3D NAND – nền tảng sống còn của Kioxia
Kioxia phát minh ra bộ nhớ flash NAND hơn 35 năm trước. Năm 2007, Kioxia giới thiệu bộ nhớ flash 3D BiCS FLASH — một hệ thống công nghệ flash 3D tập trung vào xếp chồng theo chiều dọc, thu nhỏ theo chiều ngang, ghép nối wafer, tối ưu cổng chọn và đóng gói tiên tiến.
Ý tưởng cốt lõi của 3D NAND là khác biệt so với 2D NAND: thay vì chỉ thu nhỏ đơn vị nhớ trên mặt phẳng, 3D NAND xếp chồng các đơn vị nhớ theo chiều thẳng đứng giống như xây tòa nhà. Giải thích của Kioxia rất trực quan: trước đây chỉ có một tầng, diện tích đất bị giới hạn; 3D NAND tương đương việc biến một tầng thành một tòa chung cư nhiều tầng, giúp chứa được nhiều “cư dân” hơn trên cùng một diện tích.
Cốt lõi của BiCS FLASH nằm ở công nghệ gia công hàng loạt. Quy trình sản xuất cơ bản như sau: đầu tiên, xếp chồng xen kẽ các lớp điện cực dạng tấm và lớp cách điện; sau đó khoan một loạt lỗ lớn theo chiều thẳng đứng; tiếp theo, lấp đầy màng lưu trữ điện tích và điện cực dạng cột vào bên trong các lỗ; điểm giao cắt giữa điện cực dạng tấm và điện cực dạng cột chính là một đơn vị nhớ. Từ đây có thể thấy, BiCS FLASH của Kioxia không phải là phương pháp “mỗi thêm một lớp thì làm lại toàn bộ đơn vị nhớ”, mà là xây dựng cấu trúc trước rồi mới sử dụng kỹ thuật “đục lỗ & cắm” (punch and plug) để xuyên qua nhiều lớp đồng thời và hình thành đơn vị nhớ. Do đó, khi số lớp tăng lên, chi phí sản xuất sẽ không tăng hoàn toàn tuyến tính, từ đó nâng cao hiệu quả kinh tế cho việc tiếp tục xếp chồng 3D NAND.
Theo tiết lộ chính thức từ Kioxia, nhịp độ thương mại hóa BiCS FLASH như sau: sản phẩm BiCS FLASH đã được thương mại hóa ở mức 48 lớp vào năm 2015, sau đó lần lượt nâng cấp lên 96 lớp, 112 lớp và 162 lớp; tính đến tháng 3/2023, Kioxia đã đạt mức xếp chồng trên 200 lớp.
Trong đó, thế hệ BiCS FLASH thứ 8 là một bước ngoặt then chốt. Kioxia cho biết sản phẩm thế hệ thứ 8 sử dụng cấu trúc xếp chồng 218 đường word-line, đạt mật độ lưu trữ 18,3 Gb/mm² cho sản phẩm TLC 1 Tb, đồng thời hỗ trợ tốc độ truyền dữ liệu bên ngoài 3,2 Gbps, thời gian đọc 40 μs và thông lượng ghi 205 MB/s.
BiCS FLASH thế hệ thứ 8 của Kioxia không chỉ tăng từ 162 lên 218 lớp mà còn lần đầu tiên áp dụng hai công nghệ then chốt:
CBA (CMOS directly Bonded to Array): CBA có thể hiểu là tách rời mạch điều khiển CMOS ngoại vi và mảng bộ nhớ trong quá trình sản xuất, sau đó ghép nối wafer. Trước đây, mạch CMOS và mảng bộ nhớ đều được sản xuất trên cùng một wafer. Tuy nhiên, điều kiện quy trình tối ưu cho hai thành phần này không hoàn toàn trùng khớp: mảng bộ nhớ đòi hỏi quy trình phù hợp hơn với khả năng lưu trữ điện tích và cấu trúc xếp chồng, trong khi mạch CMOS lại chú trọng vào kiểm soát logic, hiệu năng điện và tốc độ. Việc sản xuất chung trên một wafer buộc phải đánh đổi lẫn nhau.
Giải pháp CBA là: sản xuất riêng wafer CMOS và wafer mảng bộ nhớ, tối ưu hóa quy trình riêng cho mỗi loại, rồi ghép nối chính xác cao ở giai đoạn cuối. Cách làm này mang lại những lợi ích: nâng cao mật độ bit, tăng tốc độ I/O của NAND, cho phép mảng bộ nhớ áp dụng quy trình nhiệt độ cao — vốn khó triển khai trước đây do bị giới hạn bởi yêu cầu của mạch CMOS — đồng thời giảm nhiễu điện giữa các đơn vị nhớ liền kề.
OPS (On Pitch Select Gate): OPS giải quyết vấn đề lãng phí không gian bên trong mảng bộ nhớ. Trong cấu trúc truyền thống, giữa các đơn vị nhớ tồn tại một số vùng “giả” (dummy) không dùng để lưu trữ dữ liệu. Những vùng này không đóng góp trực tiếp vào dung lượng nhưng chiếm diện tích. Công nghệ OPS của Kioxia tái bố trí cổng chọn và cấu trúc cách điện nhằm giảm hoặc loại bỏ các vùng vô ích này, giúp nhét thêm nhiều đơn vị nhớ hữu ích vào cùng một diện tích. Theo giải thích chính thức của Kioxia, OPS loại bỏ các vùng dummy không cần thiết, nhờ đó tăng đáng kể mật độ lưu trữ trên cùng một không gian.
BiCS FLASH thế hệ thứ 9 chủ yếu hướng đến các sản phẩm TLC 512 Gb và 1 Tb, nhằm phục vụ các ứng dụng ở phân khúc dung lượng trung – thấp yêu cầu hiệu năng cao và tiêu thụ điện năng thấp. Thế hệ này tiếp tục áp dụng cả hai công nghệ CBA và OPS nhằm cải thiện hiệu suất sản xuất và cung cấp giải pháp flash tiên tiến hơn. Khác với các thế hệ trước, BiCS FLASH thế hệ thứ 9 không tập trung vào tăng số lớp mà thiên về cân bằng giữa hiệu năng, tiêu thụ điện, chi phí và hiệu suất sản xuất.
Trong khi đó, BiCS FLASH thế hệ thứ 10 rõ ràng hướng đến nhu cầu dung lượng lớn và hiệu năng cao trong tương lai. Kioxia cho biết sản phẩm thế hệ thứ 10 sử dụng cùng công nghệ CMOS với thế hệ thứ 9 nhưng mở rộng số lớp lưu trữ lên mức 332 lớp — tương đương khoảng 1,5 lần so với thế hệ thứ 8 — nhằm nâng cao mật độ bit và hiệu quả tiêu thụ điện.
Bên cạnh quy trình chế tạo tiền đạo (front-end), Kioxia cũng đang nỗ lực nâng cao năng lực đóng gói hậu đạo (back-end). Tài liệu chính thức nêu rõ, Kioxia đã phát triển bộ nhớ flash gói đơn 8 TB bằng cách xếp chồng 32 chip flash (die), mỗi chip dung lượng 2 Tb, trong một vỏ bao gói duy nhất. Thành tựu này phụ thuộc vào các công nghệ hậu đạo tiên tiến như mài mỏng wafer, thiết kế vật liệu và dây nối (wire bonding). Việc xếp chồng 32 die như vậy cho phép tích hợp 32 chip 2 Tb vào một vỏ bao gói có chiều cao dưới 2 mm, tạo nên giải pháp flash 8 TB.
Từ 3D NAND đến 3D DRAM — canh bạc mới của Kioxia
Kioxia cũng đang phá vỡ rào cản “nhà sản xuất chỉ chuyên về NAND” bằng một vũ khí bí mật: phát triển 3D DRAM. Vậy tại sao Kioxia lại dấn thân vào 3D DRAM? Bởi vì DRAM cũng đang đối mặt với giới hạn co nhỏ trên mặt phẳng — tình thế tương tự như NAND từng trải qua. Với vai trò là “cựu binh” trong lĩnh vực 3D NAND, Kioxia đã có lợi thế được kiểm chứng về công nghệ xếp chồng.
Việc tiếp tục thu nhỏ DRAM truyền thống gặp phải nhiều thách thức: tụ lưu trữ ngày càng khó thu nhỏ, transistor truy cập rò rỉ tăng, thời gian giữ dữ liệu ngắn lại, tần suất làm tươi tăng, và dung lượng càng lớn thì công suất làm tươi càng cao. Một bài tổng quan kỹ thuật của imec cũng chỉ ra rằng cấu trúc 1T1C truyền thống của DRAM đang gặp khó khăn về khả năng thu nhỏ, chi phí và hiệu suất tiêu thụ điện — đặc biệt, tụ điện lớn gây hạn chế cho đường dẫn tích hợp 3D, trong khi transistor càng nhỏ thì đường rò càng rõ nét, dẫn đến công suất làm tươi tăng lên.
Tháng 12/2024, Kioxia công bố phát triển thành công công nghệ OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM — DRAM sử dụng transistor kênh bán dẫn ôxit), một loại DRAM mới dạng 4F², gồm các transistor kênh bán dẫn ôxit với dòng dẫn cao và dòng tắt cực thấp. Kết quả này được Kioxia và Nanya Technology cùng phát triển và công bố tại Hội nghị Quốc tế về Thiết bị Điện tử (IEEE IEDM) năm 2024.
Toàn cảnh OCTRAM (Nguồn ảnh: Kioxia, tương tự cho các ảnh sau)
Ông đơn vị DRAM truyền thống thường có cấu trúc 1T1C (một transistor truy cập + một tụ điện). Vấn đề của nó là: khi tiếp tục thu nhỏ ô đơn vị, tụ điện ngày càng khó chế tạo hơn, đồng thời dòng rò của transistor làm tăng công suất làm tươi. OCTRAM của Kioxia cố gắng giảm dòng rò thông qua transistor InGaZnO và đẩy cấu trúc ô đơn vị lên mật độ cao hơn.
Ảnh TEM cắt ngang transistor InGaZnO dạng đứng
Transistor InGaZnO nhờ có khe năng lượng lớn và độ linh động điện tử cao nên về lý thuyết có thể đồng thời đạt được dòng tắt cực thấp và dòng dẫn cao. Kioxia đã tối ưu vật liệu điện cực tiếp xúc và độ dày lớp spacer để thí nghiệm đạt dòng dẫn trên 15 μA đồng thời duy trì dòng tắt dưới 10⁻¹⁸ A (như hình dưới). Một phần lớn công suất tiêu thụ DRAM đến từ quá trình làm tươi. Dòng tắt càng thấp, thời gian giữ dữ liệu càng dài, áp lực làm tươi càng giảm. Do đó, giá trị cốt lõi của OCTRAM là sử dụng transistor bán dẫn ôxit có dòng tắt thấp nhằm giảm công suất làm tươi DRAM.
(a) Đặc tính dòng dẫn và (b) đặc tính dòng tắt của transistor InGaZnO đã phát triển
Tháng 9/2025, Kioxia tiếp tục công bố nghiên cứu độ tin cậy liên quan đến OCTRAM, tập trung vào vấn đề tuổi thọ TDDB (Time-Dependent Dielectric Breakdown — sự đánh thủng điện môi theo thời gian) của transistor InGaZnO dạng đứng với cấu trúc Gate-All-Around dưới 25 nm. Nói đơn giản, TDDB là hiện tượng lớp cách điện của transistor dần suy giảm và cuối cùng hỏng hóc dưới tác động lâu dài của điện trường. Kioxia cho biết họ nhận diện hai yếu tố gây suy giảm tuổi thọ: một là yếu tố nội tại do thu nhỏ kích thước, hai là yếu tố ngoại tại do quy trình sản xuất. Bằng cách tối ưu quy trình và giảm thiểu yếu tố ngoại tại, Kioxia đạt được tuổi thọ TDDB dự kiến vượt 10 năm.
Tháng 12/2025, Kioxia công bố tiến triển cốt lõi hơn nữa hướng tới 3D DRAM: phát triển thành công transistor kênh bán dẫn ôxit có khả năng xếp chồng cao, đã chế tạo thành công cấu trúc xếp chồng ngang 8 lớp transistor, đạt dòng dẫn vượt 30 μA và dòng tắt dưới 1 aA (tức 10⁻¹⁸ A).
Tính đến thời điểm hiện tại, 3D DRAM của Kioxia vẫn đang trong giai đoạn nghiên cứu tiên phong, chưa phải sản phẩm thương mại hóa.
Kioxia không phải là “ông lớn” DRAM truyền thống, nhưng những năng lực tích lũy được từ 3D NAND — như công nghệ xếp chồng, tích hợp vật liệu và sản xuất mảng — có thể giúp hãng tìm được chỗ đứng trong hành trình khám phá 3D DRAM thế hệ tiếp theo. Semiconductor Engineering cũng phân tích rằng tuyến đường 3D DRAM của Kioxia tận dụng khả năng xếp chồng ôxit/nitrua đã trưởng thành từ NAND để đạt mức thu nhỏ bit với chi phí thấp hơn, sau đó dùng IGZO thay thế kênh dẫn nhằm giảm vấn đề suy giảm nhiệt.
Tuy nhiên, cần nhấn mạnh một điểm: 3D DRAM của Kioxia KHÔNG phải là HBM. HBM là 3D ở cấp độ đóng gói (package-level), tức là xếp chồng các chip DRAM đã sản xuất xong để giải quyết vấn đề băng thông cao bên cạnh GPU. Còn 3D DRAM của Kioxia là 3D ở cấp độ linh kiện/ô đơn vị (device/cell-level), nhằm giải quyết bài toán tiếp tục thu nhỏ ô đơn vị DRAM. Vì vậy, Kioxia không phải đang chạy đua trực tiếp với HBM, mà đang khám phá một tuyến đường thiết bị 3D DRAM ở tầng nền sâu hơn. Nếu tuyến đường này chín muồi trong tương lai, nó có thể mở ra một nhánh công nghệ mới cho bộ nhớ làm việc dung lượng lớn và tiêu thụ điện thấp trong kỷ nguyên AI.
Dẫu vậy, 3D DRAM vẫn còn rất xa mới đến giai đoạn thương mại hóa thực sự. Hiện tại, nó giống như một “vé thông hành tương lai” hơn là một dòng sản phẩm mang lại doanh thu ngay lập tức. Nhưng đối với Kioxia, tấm vé này không hề nhỏ bé. Ngắn hạn, Kioxia có thể tận hưởng sự phục hồi của NAND nhờ làn sóng AI; trung hạn, hãng đẩy mạnh BiCS FLASH thế hệ cao hơn; dài hạn, Kioxia đặt cược vào 3D DRAM — mở rộng năng lực xếp chồng 3D từ NAND sang DRAM.
Kết luận
Từ những khoản lỗ khổng lồ, bế tắc sáp nhập, đến việc vươn lên vị trí số một về vốn hóa tại Nhật Bản năm 2026 — vượt cả Toyota — hành trình “lên voi xuống chó” của Kioxia gần như gói trọn sự tàn khốc và quyến rũ của ngành bán dẫn bộ nhớ. Hãng từng bị thị trường vốn thờ ơ do đường dây sản phẩm đơn điệu và “bỏ lỡ HBM”, nhưng lại bắt kịp “cơn thủy triều dữ liệu khổng lồ” do các mô hình AI lớn tạo ra, nhờ kiên định với NAND flash để bước vào thời hoàng kim của riêng mình.
Sự “lật đổ thần thoại” của Kioxia có thể chưa đủ để khẳng định sự phục hưng thực sự của bán dẫn Nhật Bản. Nhưng ít nhất nó chứng minh một điều: trong ngành bán dẫn, đáy sâu không đồng nghĩa với bị loại khỏi cuộc chơi. Chỉ cần tài sản công nghệ còn tồn tại, thì chu kỳ, vốn và nhu cầu — khi được sắp xếp lại — luôn có thể đưa một công ty từng bị lãng quên trở lại vị trí trung tâm bàn cờ.
Với Kioxia, bài toán tiếp theo là tìm được sự cân bằng bền vững giữa sự cuồng nhiệt của thị trường vốn và tính khắc nghiệt của chu kỳ công nghiệp — điều này sẽ quyết định số phận của “cây non duy nhất” mang theo hy vọng phục hưng bán dẫn Nhật Bản: liệu nó chỉ là một đóa hoa phù dung thoáng qua trong siêu chu kỳ AI, hay thực sự mở ra một đế chế bộ nhớ mới thuộc về chính mình?
*Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Bài viết do tác giả sáng tác. Nội dung bài viết phản ánh quan điểm cá nhân của tác giả; Semiconductor Industry Review chỉ đăng tải nhằm truyền tải một góc nhìn khác, không đồng ý hay ủng hộ quan điểm này. Nếu có bất kỳ ý kiến nào, vui lòng liên hệ Semiconductor Industry Review.
Chào mừng tham gia cộng đồng chính thức TechFlow
Nhóm Telegram:https://t.me/TechFlowDaily
Tài khoản Twitter chính thức:https://x.com/TechFlowPost
Tài khoản Twitter tiếng Anh:https://x.com/BlockFlow_News
