高盛研報解讀：DDR5 現貨漲 20%，2027 年 HBM 定價預期上調超 3 倍

撰文：Rita

潮嚮導讀

高盛 6 月 30 日發佈 DRAM 情緒指數月報，9 個指標中 7 個指向正向、1 個走平、1 個指向負向，綜合判斷"適度積極"，與 4 月持平。但真正值得注意的是兩件事：DDR5 的漲價慣性在減弱，而 2027 年 HBM 的定價預期正在快速上修。

DDR5 自 5 月以來現貨漲了 20%，韓國 DRAM 出口 5 月再創歷史新高，同比增幅 370%。南亞科技連續 10 個月營收三位數增長。但三星 DRAM ASP 的二階導數已經轉負，降了 48 個百分點，說明漲價加速度在變弱。高盛這次把 2027 年三星 HBM 價格增長預期從 +14%提到 +44%，並明確說"可能還有上行風險"。存儲的故事正在從"還能漲多少"切換到"漲完以後怎麼定價"。

DDR5 漲價還在跑，但加速度在減

DDR5 16Gb 現貨自 5 月 1 日以來漲了 20%，比 5 月合約價高 25%。DDR4 8Gb 同期漲了 11%，比合約價高 45%。現貨對合約的高溢價說明短期供需偏緊，買家願意付溢價拿貨。

但三星 DRAM ASP 的二階導數值得關注。高盛估算三星 2026 年二季度 DRAM ASP 環比漲約 46%，一季度漲了 93%。漲價幅度從跳升進入緩漲。ASP 增速環比下降了 48 個百分點。漲價基數越來越高以後，漲幅自己會收窄，需求端並沒有出問題。

服務器和手機在給量撐腰

臺灣四大服務器 ODM（英業達、廣達、緯穎、緯創）5 月營收同比增 53%，機架級 AI 服務器和 ASIC AI 服務器出貨都在爬坡。全球最大的 BMC 供應商信驊 5 月營收同比增 69%，在上年同期 75%的高基數上繼續增長。

中國大陸手機 5 月出貨同比增 19%，連續兩個月正增長。高盛中國團隊預計 2026 年二季度出貨會環比降 14%，原因是存儲漲價正在抬高整機成本、壓制終端需求。這個判斷本身構成了一個有趣的張力：存儲漲價利好存儲廠，但漲價過頭又會反噬下游需求。

HBM 的預期才是這次最大變化

高盛在報告中對 2027 年 HBM 定價做了一個很關鍵的調整，將三星 HBM 價格增長預期從 +14%上調到 +44%，翻了 3 倍多。邏輯是當前傳統 DRAM 的強勁定價趨勢，會成為 HBM 年度議價時的參照系。傳統 DRAM 和 HBM 的價差正在被拉大，這給了 HBM 漲價的空間。

高盛同時明確表示"可能還有進一步上行的風險"，因為 HBM 供需偏緊，且傳統 DRAM 和 HBM 的價差還在擴大。這個判斷如果兌現，意味著 2027 年的存儲景氣高點可能比市場想的更高。

韓國出口數據可以驗證熱度

韓國 5 月 DRAM 出口額創歷史新高，環比增 21%、同比增 370%，超越 3 月的前次高點。南亞科技 5 月營收同比增 730%，已是連續第 10 個月三位數增長，由 DDR4 強勁漲價驅動。臺灣分銷商至上電子 5 月營收同比增 253%、環比增 54%，反映下游拿貨意願很強。

三星仍是這個賽道最直接的標的

高盛維持三星電子買入評級，普通股目標價 48 萬韓元（當前約 32.3 萬，有 49%空間），優先股目標價 36 萬韓元。估值方法為 12 個月前瞻 EV/EBITDA 的分部加總估值。下行風險包括存儲供需大幅惡化、手機利潤急劇收縮和移動 OLED 市場份額流失。

潮向視角

高盛這份月報真正值得關注的是一個細節：2027 年 HBM 定價預期從 +14%上調到 +44%。DDR5 還在漲這件事市場已經知道了，但 HBM 的定價上修是新的。這意味著市場正在把傳統 DRAM 的緊缺，換算成 HBM 年度議價的上行空間。

另一個值得注意的數據是 ASP 二階導數轉負。週期還沒有見頂，但“越漲越快”的階段已經過去了。現在進入的是“還在漲，但漲得慢了”的階段。歷史上，這個階段的存儲股主要賺的是盈利兌現的錢，估值再擴張的空間有限。

對關注美股和 A 股存儲概念的中文投資者來說，這份報告提示了兩條線索：短線上 DDR5 和 DDR4 的現貨溢價還在，但加速漲的階段快走完了；長線上 HBM 的定價上修說明 2027 年的高點比之前想象的更高。兩者的交叉點，決定了現在持有存儲股的倉位應該怎麼配置。

免責聲明

本文系潮向研究對第三方券商研究報告的整理與解讀。文中引述的評級、目標價、盈利預測及相關判斷，均為該券商分析師的觀點，僅代表其所屬機構立場，不代表潮向研究的觀點，也不構成任何投資建議。

市場有風險，決策需獨立。本文不應作為買賣任何證券的依據。