SK 海力士啟動美國的 40 億美元先進內存封裝廠建設

深潮 TechFlow 消息，8 月 27 日，SK 海力士啟動位於美國印第安納州、投資 40 億美元的存儲中心建設；將於 2029 年下半年在印第安納州工廠啟動下一代 HBM4E 芯片的量產。SK 海力士 CEO 預計印第安納州將成為美國高帶寬內存（HBM）的核心生產基地。