24/7Новости
Samsung разрабатывает для NVIDIA 8-слойную память HBM4E
2026.08.31 - 05:26
Эксклюзив
По данным TechFlow, 31 августа, согласно сообщениям южнокорейских СМИ, Samsung Electronics разрабатывает под требования NVIDIA (NVDA.O) восьмислоевую память HBM4E седьмого поколения с высокой пропускной способностью, что значительно снижает высоту стека по сравнению с первоначально запланированными решениями на 12 и 16 слоев. Требуемая NVIDIA скорость составляет 17–18 Gbps, что примерно на 20% превышает скорость образцов начального уровня HBM4E от Samsung в 14,4 Gbps. Сообщается, что данный продукт будет использоваться в NVHBM.
В избранное
Поделиться





