Первый в США ETF, специализирующийся исключительно на памяти, включил акции ChangXin Memory Technologies, при этом его доходность по-прежнему составляет 161,5%

TechFlow сообщает, что 2 августа по данным пользователя Ai 姨 (@ai_9684xtpa), первый в США ETF на чипы памяти «DRAM Memory ETF» официально включил ChangXin Memory Technologies в свой портфель с весом 2,52%, вслед за GigaDevice повторно добавив лидера рынка памяти в список A-акций. Данный ETF зарегистрирован 2 апреля 2026 года, объем активов на текущий момент составляет 24,55 млрд долларов США, он является одним из самых успешных тематических ETF Уолл-стрит в текущем году, пиковая доходность которого достигала 190%, и после масштабной коррекции сектора памяти сохранила значение 161,5%. Совокупная доля Samsung, Micron и SK Hynix в портфеле ETF превышает 73%. С момента листинга на бирже STAR Market капитализация ChangXin стабильно превышает 3 трлн, а в отдельные моменты пробивала барьер в 4 трлн, и начиная со следующего понедельника завершит этап торгов без ограничений на суточные колебания цен, перейдя к стандартному режиму торгов.