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深潮 TechFlow 消息，7 月 02 日，SK 海力士周四表示，公司计划投资 80 万亿韩元（约 514.6 亿美元），建设一座新的 NAND 闪存芯片工厂，新厂预计将于 2029 年启动，以应对由 AI 热潮推动的存储芯片短缺。根据在一场由公司 CEO 和韩国总统李在明出席的活动上公布的规划，该公司 CEO 表示，SK 海力士计划于明年在韩国清州市启动该新工厂 M17 的建设。此外，这家芯片制造商还计划再投入 20 万亿韩元，在清州新建一座芯片封装工厂，预计于 2027 年底前完工。(金十)
SK 海力士周四表示，公司计划投资 80 万亿韩元（约 514.6 亿美元），建设一座新的 NAND 闪存芯片工厂，新厂预计将于 2029 年启动，以应对由 AI 热潮推动的存储芯片短缺。根据在一场由公司 CEO 和韩国总统李在明出席的活动上公布的规划，该公司 CEO 表示，SK 海力士计划于明年在韩国清州市启动该新工厂 M17 的建设。此外，这家芯片制造商还计划再投入 20 万亿韩元，在清州新建一座芯片封装工厂，预计于 2027 年底前完工。(金十)
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