TechFlow 보도에 따르면, 8월 31일 한국 언론 매체에 의하면 엔비디아(NVDA.O)의 요구에 따라 삼성전자도 기존 계획된 12단 및 16단 설계보다 적층 높이를 현저히 낮춘 8단 7세대 고대역폭 메모리(HBM4E) 개발을 진행 중이며, 엔비디아가 제시한 속도 규격은 17-18Gbps로 삼성전자의 초기 HBM4E 샘플 속도인 14.4Gbps보다 약 20% 빠르다. 이 제품은 NVHBM에 사용될 것으로 알려졌다.
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