サムスンはNVIDIA向け8層HBM4Eの開発を進めている。

TechFlowの報道によれば、8月31日付韓国メディアの情報によると、サムスン電子はNVIDIA（NVDA.O）の要請に応じて第7世代ハイバンド幅メモリ（HBM4E）の8層構成の開発を進めている。これは当初計画されていた12層および16層の構成相较積層高を大幅に低減したものであり、NVIDIAが提示した速度仕様は17〜18Gbpsだ。サムスン電子の初期HBM4E試作品（14.4Gbps）の速度と比較して約20%向上しており、当該製品はNVHBM向けに使用される見込みだと報じられている。