SKハイニックス、米国の40億ドル規模の先進メモリパッケージ工場建設を開始

TechFlowの報道によれば、8月27日にSKハイニックスが米インディアナ州にて投資額40億ドルのストレージセンター建設に着手し、同州の工場において2029年後半に次世代HBM4Eチップの量産を開始する。SKハイニックスCEOは、インディアナ州が米国における高帯域幅メモリ（HBM）の中核生産拠点となる見込みだと予測している。