La marge EBIT de CXMT au deuxième trimestre atteint 82 %, dépassant Samsung et SK Hynix.

TechFlow rapporte que, selon les dernières données de la plateforme d'analyse économique mondiale QUICK FactSet publiées le 11 septembre, la marge EBIT de ChangXin Memory a atteint 82 % au deuxième trimestre 2026, dépassant ainsi SK Hynix (76 %) et la division semi-conducteurs de Samsung Electronics (70 %) pour devenir le fabricant de puces mémoire affichant la rentabilité la plus élevée sur la période. Parallèlement, le chiffre d'affaires de ChangXin Memory a progressé d'environ dix fois par rapport à l'exercice précédent, enregistrant le taux de croissance le plus élevé parmi les six entreprises que sont ChangXin Memory, Samsung, SK Hynix, Micron, Kioxia et SanDisk.

Des analyses indiquent que la hausse de la marge de ChangXin Memory est étroitement liée à l'évolution actuelle de l'offre et de la demande de puces mémoire. Alors que Samsung, SK Hynix et Micron réorientent davantage leurs ressources vers la mémoire haute bande passante (HBM) dédiée aux serveurs d'intelligence artificielle, l'offre de DRAM standard se raréfie, entraînant une forte hausse des prix de la DDR5, ce dont ChangXin Memory bénéficie. (Jinshi)