Samsung développe actuellement une mémoire HBM4E à 8 couches pour NVIDIA.

Selon TechFlow, le 31 août, des médias sud-coréens rapportent que Samsung Electronics développe, en réponse aux exigences de NVIDIA (NVDA.O), une mémoire haute bande passante de septième génération à 8 couches (HBM4E), réduisant considérablement la hauteur d'empilement par rapport aux plans initiaux de 12 et 16 couches. La vitesse spécifiée par NVIDIA est de 17 à 18 Gbps, soit environ 20 % supérieure à celle des premiers échantillons de HBM4E chez Samsung, qui était de 14,4 Gbps. Ce produit serait, selon les informations relayées, destiné aux NVHBM.