Goldman Sachs : l'autosuffisance en volume des semi-conducteurs en Chine atteint 70 %, avec un objectif de dépenses d'investissement de 82 milliards de dollars pour 2030
TechFlow rapporte que, selon Chaoxiang Research, le quatrième rapport annuel de la série « Chip Act » publié par Goldman Sachs le 24 août indique qu'à juin 2026, le taux d'autosuffisance en circuits intégrés (IC) chinois atteindra 70 %, soit près du double du niveau de 38 % enregistré en janvier 2010. Goldman Sachs revoit à la hausse sa prévision des dépenses d'investissement pour le secteur des semi-conducteurs chinois en 2030 à 82 milliards de dollars, en hausse de 79 % par rapport à ses précédentes estimations. Le rapport couvre pour la première fois le leader chinois du DRAM, Changxin Memory Technologies (CXMT), sous une notation « Acheter » avec un cours objectif de 129 yuans.
Goldman Sachs prévoit que l'écart entre l'offre et la demande concernant les procédés logiques avancés de 7 nm et inférieurs en Chine se réduira de 92 % en 2025 à 34 % en 2035, tandis que la demande de wafers pour les serveurs IA affichera une croissance annuelle composée de 42 % sur la même période. Dans un scénario de référence, le marché chinois des puces IA atteindra 678 milliards de dollars en 2030, avec une croissance annuelle composée de 69 % entre 2025 et 2030 ; le marché du DRAM devrait atteindre 257 milliards de dollars en 2028, avec une croissance annuelle composée de 50 %, dont le segment HBM enregistrera une croissance annuelle composée de 188 %. Les investissements chinois dans les équipements de fabrication (WFE) augmenteront respectivement de 13 %, 20 % et 15 % entre 2026 et 2028, et la part des revenus des équipementiers locaux sur le marché WFE national passera de 31 % à 38 %. Malgré la progression du taux de localisation, les fournisseurs d'équipements mondiaux demeurent les principaux bénéficiaires de l'expansion des capacités de production à procédés avancés en Chine, Goldman Sachs recommande Applied Materials, Lam Research et Onto Innovation.
